Preço e aquisição
73 101 Em estoque
Pode ser enviado imediatamente
 

Quantidade

Adicionar à lista

Todos os preços estão em EUR.
Redução no preço Preço unitário Preço total
1 3,94000 €3,94
10 3,54300 €35,43
25 3,34920 €83,73
100 2,90260 €290,26
500 2,47096 €1.235,48
1.000 2,08394 €2.083,94

Envie uma solicitação de cotação em quantidades superiores àquelas exibidas.

Embalagem alternativa
  • Fita e carretel (TR)  : 917-1079-2-ND
  • Quantidade mínima: 2 500
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 72 500 - Imediato
  • Preço unitário: 2,02981 €
  • Digi-Reel®  : 917-1079-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 73 101 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®

EPC2001C

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key 917-1079-1-ND
Copiar  
Fabricante

EPC

Copiar  
Número de peça do fabricante EPC2001C
Copiar  
Descrição GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Copiar  
Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 100V 36A (Ta) Montagem em superfície Contorno da matriz (barra de 11 soldas)

Copiar  
Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC2001C
Módulos de treinamento sobre produtos eGaN® FET Reliability
Produto em destaque EPC Low Voltage eGaN® FETs
Biblioteca de designs de referência EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCN sobre design/especificação Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCN sobre origem/montagem Assembly Site 25/Jun/2021
Ficha técnica HTML EPC2001C
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 36A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 9nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 900pF @ 50V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Contorno da matriz (barra de 11 soldas)
Pacote / Invólucro Matriz
Número de peça da base EPC2001
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Para uso com

EPC9126HC

LIDAR DEMO BOARD 100V EPC2001C

EPC

194,37000 € Detalhes

EPC9013

BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN

EPC

120,82000 € Detalhes

EPC9002C

BOARD DEV FOR EPC2001C 100V

EPC

75,65000 € Detalhes
Produtos relacionados Ver mais

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

4,28000 € Detalhes

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

4,92000 € Detalhes

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

3,09000 € Detalhes

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

3,56000 € Detalhes

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

4,63000 € Detalhes

LM5113QDPRRQ1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

4,20000 € Detalhes
Talvez possa interessar a você também

LMG1210RVRR

IC GATE DRVR GAN MOSFET

Texas Instruments

5,23000 € Detalhes

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

4,28000 € Detalhes

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

4,92000 € Detalhes

NC7WZ16L6X

IC BUF NON-INVERT 5.5V 6MICROPAK

ON Semiconductor

0,45000 € Detalhes

EPC2022

GANFET N-CH 100V 90A DIE

EPC

6,77000 € Detalhes

EPC2212

GANFET N-CH 100V 18A DIE

EPC

2,51000 € Detalhes
Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1079-1