Preço e aquisição
14 033 Em estoque
Pode ser enviado imediatamente
 

Quantidade

Adicionar à lista

Todos os preços estão em EUR.
Redução no preço Preço unitário Preço total
1 1,73000 €1,73
10 1,55700 €15,57
100 1,25160 €125,16
500 1,02830 €514,15
1 000 0,85201 €852,01

Envie uma solicitação de cotação em quantidades superiores àquelas exibidas.

Embalagem alternativa
  • Fita e carretel (TR)  : 917-1086-2-ND
  • Quantidade mínima: 2 500
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 12 500 - Imediato
  • Preço unitário: €0,80126
  • Digi-Reel®  : 917-1086-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 14 033 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®
Número de peça da Digi-Key 917-1086-1-ND
Copiar  
Fabricante

EPC

Copiar  
Número de peça do fabricante EPC8010
Copiar  
Descrição GANFET N-CH 100V 2.7A DIE
Copiar  
Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 100V 2,7A (Ta) Montagem em superfície Matriz

Copiar  
Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC8010
eGaN® FET Brief
Módulos de treinamento sobre produtos eGaN® FET Reliability
Informações ambientais EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Produto em destaque Wireless Power Solutions
Biblioteca de designs de referência EPC9068: 2.7A, 0 ~ 100V, Half H-bridge
PCN sobre origem/montagem Assembly Site 25/Jun/2021
Ficha técnica HTML eGaN® FET Brief
EPC8010
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 160mOhm a 500mA, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 0,48nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 55pF @ 50V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Matriz
Pacote / Invólucro Matriz
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Para uso com

EPC9068

BOARD DEV FOR EPC8010 100V EGAN

EPC

€134,07000 Detalhes
Produtos relacionados

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€3,12000 Detalhes

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€3,60000 Detalhes

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® Detalhes

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€1,94529 Detalhes

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® Detalhes

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€2,50740 Detalhes
Talvez possa interessar a você também

EPC2037

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

€1,14000 Detalhes

EPC2012C

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

EPC

€2,34000 Detalhes

EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

EPC

€3,11000 Detalhes

LMG1210RVRT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN

Texas Instruments

€5,45000 Detalhes

PE29102A-X

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE

pSemi

€3,21000 Detalhes

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

€4,67000 Detalhes
Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1086-1