BSC026NE2LS5ATMA1 Canal N 25V 24A (Ta), 82A (Tc) 2,5W (Ta), 29W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-7
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  • Digi-Reel®  : BSC026NE2LS5ATMA1DKR-ND
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  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 32 176 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®

BSC026NE2LS5ATMA1

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
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Fabricante

Infineon Technologies

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Número de peça do fabricante BSC026NE2LS5ATMA1
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Descrição MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
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Descrição detalhada

Canal N 25V 24A (Ta), 82A (Tc) 2,5W (Ta), 29W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-7

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas BSC026NE2LS5
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Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante Infineon Technologies
Séries OptiMOS™
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 24A (Ta), 82A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 16nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1100pF @ 12V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-7
Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Número de peça da base BSC026
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes BSC026NE2LS5ATMA1CT