IRF7329TRPBF Cascata MOSFET 2 canais P (duplo) 12V 9,2A 2W Montagem em superfície SO-8
Preço e aquisição
5 358 Em estoque
Pode ser enviado imediatamente
 

Quantidade

Adicionar à lista

Todos os preços estão em EUR.
Redução no preço Preço unitário Preço total
1 1,28000 €1,28
10 1,14400 €11,44
100 0,89210 €89,21
500 0,73698 €368,49
1 000 0,64646 €646,46

Envie uma solicitação de cotação em quantidades superiores àquelas exibidas.

Preço unitário
€1,28000

Exclui VAT

€1,57440

Inclui VAT

Embalagem alternativa
  • Fita e carretel (TR)  : IRF7329PBFTR-ND
  • Quantidade mínima: 4 000
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 4 000 - Imediato
  • Preço unitário: €0,64646
  • Digi-Reel®  : IRF7329PBFDKR-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 5 358 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®

IRF7329TRPBF

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key IRF7329PBFCT-ND
Copiar  
Fabricante

Infineon Technologies

Copiar  
Número de peça do fabricante IRF7329TRPBF
Copiar  
Descrição MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Copiar  
Descrição detalhada

Cascata MOSFET 2 canais P (duplo) 12V 9,2A 2W Montagem em superfície SO-8

Copiar  
Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas IRF7329PbF
Outros documentos relacionados IR Part Numbering System
Módulos de treinamento sobre produtos High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produto em destaque Data Processing Systems
PCN sobre design/especificação Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN sobre embalagem Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Ficha técnica HTML IRF7329PbF
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante Infineon Technologies
Séries HEXFET®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET 2 canais P (duplo)
Característica FET Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss) 12V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9,2A
Rds on (máx.) para Id, Vgs 17mOhm a 9,2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id 900mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 57nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3450pF a 10V
Potência - Máx. 2W
Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Pacote / Invólucro SOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido SO-8
Número de peça da base IRF7329
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Talvez possa interessar a você também

SI7232DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

€0,82000 Detalhes

SD0805S020S0R5

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 0805

KYOCERA AVX

€0,41000 Detalhes

ADUM1201ARZ-RL7

DGTL ISO 2500VRMS 2CH GP 8SOIC

Analog Devices Inc.

€2,53000 Detalhes

LTC3810EG#PBF

IC REG CTRLR BUCK 28SSOP

Analog Devices Inc.

€7,28000 Detalhes

SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Vishay Siliconix

€1,01000 Detalhes

OPA2171AIDR

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

Texas Instruments

€1,79000 Detalhes
Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes *IRF7329TRPBF
IRF7329PBFCT