IRLZ24NSTRLPBF Canal N 55V 18A (Tc) 3,8W (Ta), 45W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Preço e aquisição
4 795 Em estoque
Pode ser enviado imediatamente
 

Quantidade

Adicionar à lista

Todos os preços estão em EUR.
Redução no preço Preço unitário Preço total
1 1,08000 €1,08
10 0,97200 €9,72
100 0,75790 €75,79

Envie uma solicitação de cotação em quantidades superiores àquelas exibidas.

Preço unitário
€1,08000

Exclui VAT

€1,32840

Inclui VAT

Embalagem alternativa
  • Fita e carretel (TR)  : IRLZ24NSTRLPBFTR-ND
  • Quantidade mínima: 800
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 4 000 - Imediato
  • Preço unitário: €0,62609
  • Digi-Reel®  : IRLZ24NSTRLPBFDKR-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 4 795 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®

IRLZ24NSTRLPBF

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
Copiar  
Fabricante

Infineon Technologies

Copiar  
Número de peça do fabricante IRLZ24NSTRLPBF
Copiar  
Descrição MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Copiar  
Descrição detalhada

Canal N 55V 18A (Tc) 3,8W (Ta), 45W (Tc) Montagem em superfície D2PAK

Copiar  
Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF
Outros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de treinamento sobre produtos High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produto em destaque Data Processing Systems
PCN sobre design/especificação Mult Dev Label Chgs Aug/2020
Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021
PCN sobre origem/montagem Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCN sobre embalagem Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Ficha técnica HTML IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF
Modelos de simulação IRLZ24NS Saber Model
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante Infineon Technologies
Séries HEXFET®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 55V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 60mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 15nC @ 5V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 480pF @ 25V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido D2PAK
Pacote / Invólucro TO-263-3, D²Pak (2 condutores + aba), TO-263AB
Número de peça da base IRLZ24
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Talvez possa interessar a você também

IRL530NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

€1,33000 Detalhes

BUK9675-55A,118

MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK

Nexperia USA Inc.

€0,98000 Detalhes

IRLZ24NPBF

MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB

Infineon Technologies

€0,92000 Detalhes
Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes IRLZ24NSTRLPBFCT