PSMN1R2-30YLC,115 Canal N 30V 100A (Tc) 215W (Tc) Montagem em superfície LFPAK56, Power-SO8
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1 1,44000 €1,44
10 1,28400 €12,84
100 1,00090 €100,09
500 0,82682 €413,41

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Preço unitário
€1,44000

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Embalagem alternativa
  • Fita e carretel (TR)  : 1727-5295-2-ND
  • Quantidade mínima: 1 500
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 0
  • Preço unitário: €0,65275
  • Digi-Reel®  : 1727-5295-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 0
  • Preço unitário: Digi-Reel®

PSMN1R2-30YLC,115

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key 1727-5295-1-ND
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Fabricante

Nexperia USA Inc.

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Número de peça do fabricante PSMN1R2-30YLC,115
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Descrição MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
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Descrição detalhada

Canal N 30V 100A (Tc) 215W (Tc) Montagem em superfície LFPAK56, Power-SO8

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas PSMN1R2-30YLC
PCN sobre origem/montagem Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016
PCN sobre embalagem Pack/Label Update 30/Nov/2016
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
Ficha técnica HTML PSMN1R2-30YLC
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante Nexperia USA Inc.
Séries -
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,25mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id 1,95V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 78nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5093pF @ 15V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) 215W (Tc)
Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Invólucro SC-100, SOT-669
Número de peça da base PSMN1R2
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND