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  • Preço unitário: €0,62901
  • Digi-Reel®  : SI3440DV-T1-GE3DKR-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 6 737 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®

SI3440DV-T1-GE3

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key SI3440DV-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

Vishay Siliconix

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Número de peça do fabricante SI3440DV-T1-GE3
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Descrição MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
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Descrição detalhada

Canal N 150V 1,2A (Ta) 1,14W (Ta) Montagem em superfície TSOP-6

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas SI3440DV
PCN sobre design/especificação Mult Dev Material Chgs 13/Jan/2019
Ficha técnica HTML SI3440DV
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante Vishay Siliconix
Séries TrenchFET®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 375mOhm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) 1,14W (Ta)
Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido TSOP-6
Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Número de peça da base SI3440
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes SI3440DV-T1-GE3CT