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  • Preço unitário: €0,63916
  • Digi-Reel®  : SI4463BDY-T1-E3DKR-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 18 598 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®

SI4463BDY-T1-E3

Ficha técnica
Número de peça da Digi-Key SI4463BDY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

Vishay Siliconix

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Número de peça do fabricante SI4463BDY-T1-E3
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Descrição MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
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Tempo de espera previsto do fabricante 52 semanas
Descrição detalhada

Canal P 20V 9,8A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície SOIC-8

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas SI4463BDY
Ficha técnica HTML SI4463BDY
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante Vishay Siliconix
Séries TrenchFET®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal P
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9,8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11mOhm a 13,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id 1,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 56nC @ 4,5V
Vgs (máx.) ±12V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) 1,5W (Ta)
Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido SOIC-8
Pacote / Invólucro SOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)
Número de peça da base SI4463
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes SI4463BDY-T1-E3CT