NPxxx04YUG-E1-AY
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NP35N04YUG-E1-AY

Número de produto da Digi-Key
NP35N04YUG-E1-AYTR-ND - Fita e carretel (TR)
NP35N04YUG-E1-AYCT-ND - Fita cortada (CT)
NP35N04YUG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Renesas Electronics America Inc
Número de produto do fabricante
NP35N04YUG-E1-AY
Fabricante
Descrição
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Descrição detalhada
Canal N 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Montagem em superfície HSON-8
Referência do cliente
Ficha técnica Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar
Categoria
Fabricante
Renesas Electronics America Inc
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Situação da peça
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
10mOhm a 17,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2850 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
1W (Ta), 77W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
HSON-8
Pacote / Invólucro
SMD-8, condutor plano com pad exposto
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
AtributoDescrição
Situação da RoHSConformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)1 (ilimitado)
Situação do REACH (regulamento de registro, avaliação, autorização e restrição de substâncias químicas)Não afetado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Recursos adicionais
AtributoDescrição
Outros nomes
NP35N04YUG-E1-AYTR
NP35N04YUGE1AY
NP35N04YUG-E1-AY-ND
-1161-NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUG-E1-AYDKR
NP35N04YUG-E1-AYCT
Embalagem padrão2 500