Módulos amplificadores de potência

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QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo
Configuração
Corrente
Tensão
Tensão - Isolação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
3 034
Em estoque
1 : 4,34000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 1,59508 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
1 fase
70 A
30 V
-
-
-
Montagem em superfície
PowerVFQFN-39
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3 129
Em estoque
1 : 7,42000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 4,24986 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
Meia ponte
20 A
650 V
-
-
-
Montagem em superfície
PowerVQFN-30
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
109
Em estoque
1 : 14,19000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
260
Em estoque
1 : 19,44000 €
Tubo
Tubo
Não para novos designs
IGBT
3 fases
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-27 (1,205", 30,60mm)
STK541UC62K-E
STK541UC62K-E
MOD IPM 600V 10A 23PWRSIP
onsemi
160
Em estoque
1 : 20,12000 €
Tubo
-
Tubo
Não para novos designs
IGBT
3 fases
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo 23-PowerSIP, 19 condutores, condutores curvados
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1 454
Em estoque
1 : 22,29000 €
Fita cortada (CT)
2 000 : 11,16105 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
Inversor meia ponte
55 A
650 V
-
-
-
Montagem em superfície
52-VQFN pad exposto
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
176
Em estoque
1 : 30,63000 €
Fita cortada (CT)
250 : 21,12904 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
Inversor meia ponte
55 A
650 V
-
Automotivo
AEC-Q100
Montagem em superfície, flanco impregnável
52-VQFN pad exposto
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IM818LCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
291
Em estoque
1 : 31,68000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
Inversor trifásico
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,094", 27,80mm)
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
164
Em estoque
1 : 74,69000 €
Tubo
Tubo
Ativo
MOSFET
Inversor trifásico
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,094", 27,80mm)
30-QFN
NV6127
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 830
Em estoque
1 : 5,07000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 2,64235 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
Meia ponte
12 A
650 V
-
-
-
Montagem em superfície
PowerVQFN-30
162
Em estoque
1 : 9,01000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
554
Em estoque
1 : 9,10000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
191
Em estoque
1 : 10,08000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGCM20F60GAXKMA1
IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD
Infineon Technologies
279
Em estoque
1 : 11,69000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB41560
MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
onsemi
212
Em estoque
1 : 13,24000 €
Tubo
Tubo
Não para novos designs
IGBT
3 fases
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-26 (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
184
Em estoque
1 : 13,53000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM20R60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
180
Em estoque
1 : 14,20000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
Bifásico
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM30F60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
208
Em estoque
1 : 15,80000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
121
Em estoque
1 : 17,60000 €
Tubo
Tubo
Ativo
MOSFET
Inversor trifásico
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,028", 26,10mm)
245
Em estoque
1 : 36,51000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
Inversor trifásico
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-24 (1,094", 27,80mm)
FNA21012A
FNA25060
MOD SPM 600V 50A SPMCA-A34
onsemi
36
Em estoque
18 984
Fábrica
1 : 57,75000 €
Tubo
Tubo
Ativo
IGBT
3 fases
50 A
600 V
2500Vrms
-
-
Furo passante
Módulo PowerDIP-34 (1,480", 37,60mm)
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8 700
Em estoque
1 : 2,22000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 0,63910 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
1 fase
30 A
-
-
-
-
Montagem em superfície
Módulo 22-PowerVFQFN
NV6115
NV6115
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
948
Em estoque
1 : 3,45000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 1,71860 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
Meia ponte
8 A
650 V
-
-
-
Montagem em superfície
PowerVDFN-8
NV6115
NV6117
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
925
Em estoque
1 : 5,07000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 2,64235 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
Meia ponte
12 A
650 V
-
-
-
Montagem em superfície
PowerVDFN-8
27-LGA
FSB70250
MODULE SPM 500V 3.3A 27PWRLQFN
onsemi
961
Em estoque
51 000
Fábrica
1 : 6,16000 €
Fita cortada (CT)
1 000 : 2,54847 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET
3 fases
3.3 A
500 V
1500Vrms
-
-
Montagem em superfície
Módulo PowerLQFN-27
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Módulos amplificadores de potência


Os módulos amplificadores de potência fornecem o confinamento físico para componentes de potência, normalmente IGBT e MOSFET numa meia ponte ou configurações de uma, duas ou três fases. Os semicondutores de potência ou matrizes são soldados ou sinterizados em um substrato que porta esses semicondutores e fornece contato elétrico e térmico, além de isolação elétrica onde for necessário. Os módulos de potência proporcionam a densidade mais alta de potência e são, em muitos casos, mais confiáveis e mais fáceis de resfriar.