FETs, MOSFETs individuais

Resultados : 41 005
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGaNPower
Séries
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e caixa (TB)Fita e carretel (TR)GranelSacoTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tipo de FET
-Canal NCanal P
Tecnologia
-GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiC (transistor de junção de carboneto de silício)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,29mOhm a 50A, 10V0,3mOhm a 200A, 10V0,35mOhm a 50A, 10V0,4mOhm a 150A, 10V0,4mOhm a 30A, 10V0,4mOhm a 50A, 10V0,42mOhm a 50A, 10V0,44mOhm a 88A, 10V0,45mOhm a 30A, 10V0,45mOhm a 50A, 10V0,45mOhm a 60A, 4,5V0,45mOhm para 30A, 7V
Vgs(th) (máx.) para Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típ.)600mV a 1,2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (típ.)600mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V210 pC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
Característica FET
-Diodo Schottky (corpo)Diodo Schottky (isolado)Diodo de detecção de temperaturaModo de DepleçãoPadrãoSensível a corrente
Dissipação de potência (máx.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-65°C a 175°C (TJ)-60°C a 175°C (TJ)-55°C a 100°C-55°C a 110°C (TA)-55°C a 125°C (TA)-55°C a 125°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 135°C (TJ)-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PQFN (5x6)
Pacote / Invólucro
2-DFN com pad exposto3-DFN com pad exposto3-FLGA3-PowerSMD, condutores planos3-PowerTDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3, variante3-SMD, condutores planos3-SMD, condutores planos3-SMD, não padrão3-SMD, sem condutores3-UDFN
Opções de estoque
Opções ambientais
Mídia
PRODUTO DO MERCADO
41 005Resultados

Mostrando
de 41 005
Comparar
N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
48 875
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02950 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
392 748
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03129 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
38 654
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03245 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)50 V220mA (Tj)4,5V, 10V3,5Ohm a 220mA, 10V1,5V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41 296
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03257 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm a 220mA, 10V1,5V a 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
2 259
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03360 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,3V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 193
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03360 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V380mA (Ta)5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2,5V a 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 488 531
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03504 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm a 100mA, 2,5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montagem em superfícieEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
728 780
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03525 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal PMOSFET (óxido metálico)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
515 844
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03648 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm a 240mA, 10V2,5V a 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 289 103
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02917 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 161 637
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03790 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q100Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
582 883
Em estoque
6 000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03689 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
374 613
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03792 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal PMOSFET (óxido metálico)50 V130mA (Ta)5V10Ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
172 353
Em estoque
2 350 000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02838 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-323SC-70, SOT-323
101 727
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02854 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
57 762
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03689 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm a 240mA, 10V2,6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
1 154
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03710 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V-1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-350mW (Ta)150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
886 843
Em estoque
1 : 0,23000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03873 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C a 150°C (TA)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
870 067
Em estoque
1 : 0,23000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03916 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montagem em superfícieUMT3FSC-85
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
919 709
Em estoque
1 : 0,25000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04182 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
393 240
Em estoque
1 : 0,25000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04164 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
271 248
Em estoque
1 : 0,25000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04122 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)100 V170mA (Ta)10V6Ohm a 170mA, 10V2V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 036 300
Em estoque
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04390 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C a 150°C (TA)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
890 929
Em estoque
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04390 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
738 127
Em estoque
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04388 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V300mA (Tc)10V5Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mostrando
de 41 005

FETs, MOSFETs individuais


Os transistores de efeito de campo (FETs) discretos são amplamente usados na conversão de energia, controle de motor, iluminação de estado sólido e outras aplicações em que suas capacidades características são vantajosas de serem ligados e desligados em altas frequências, enquanto transportam quantidades substanciais de corrente. Eles são usados quase universalmente para aplicações que exigem dimensionamentos de tensão de algumas centenas de volts ou menos, acima das quais outros tipos de dispositivos, como os IGBTs, se tornam mais competitivos.