Matrizes de IGBT

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N.º de peça do fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Preço	Séries	Embalagem	Situação do produto	Tipo de IGBT	Configuração	Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	Potência - Máx.	Vce(on) (máx.) para Vge, Ic	Corrente - Corte do coletor (máx.)	Capacitância de entrada (Cies) para Vce	Entrada	Termistor NTC	Temperatura de operação	Tipo de montagem	Pacote / Invólucro	Invólucro do dispositivo fornecido
MMIX4G20N250 IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD IXYS	301 Em estoque 400 Fábrica	1 : 101,17000 € Tubo	-	Tubo	Ativo	-	Ponte completa	2500 V	23 A	100 W	3,1V a 15V, 20A	10 µA	1.19 nF @ 15 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 24-SMD, 9 condutores	24-SMPD
MMIX4B22N300 IGBT TRANS 3000V 38A IXYS	48 Em estoque	1 : 91,76000 € Tubo	BIMOSFET™	Tubo	Ativo	-	Ponte completa	3000 V	38 A	150 W	2,7V a 15V, 22A	35 µA	2.2 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 24-SMD, 9 condutores	24-SMPD
MMIX4B20N300 IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD IXYS	0 Em estoque Verifique o tempo de espera	1 : 116,53000 € Tubo	BIMOSFET™	Tubo	Ativo	-	Ponte completa	3000 V	34 A	150 W	3,2V a 15V, 20A	-	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 24-SMD, 9 condutores	24-SMPD
STGSH50M120D TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, STMicroelectronics	0 Em estoque Verifique o tempo de espera	1 : 19,83000 € Fita cortada (CT) 200 : 11,32165 € Fita e carretel (TR)	-	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Ativo	-	Meia ponte	1200 V	69 A	536 W	2,3V a 15V, 50A	25 µA	3152 pF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 175°C (TJ)	Montagem em superfície	PowerSMD-9	9-ACEPACK SMIT
FII30-06D IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 IXYS	0 Em estoque	25 : 6,07800 € Tubo	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Meia ponte	600 V	30 A	100 W	2,4V a 15V, 20A	600 µA	1.1 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Furo passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII40-06D IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5 IXYS	0 Em estoque	25 : 6,67320 € Granel	-	Granel	Obsoleto	NPT	Meia ponte	600 V	40 A	125 W	2,2V a 15V, 25A	600 µA	1.6 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Furo passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 Em estoque	Ativo	-	Caixa	Ativo	NPT	Meia ponte	1700 V	18 A	140 W	6V a 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Furo passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1S IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 Em estoque	Ativo	-	Caixa	Ativo	NPT	Meia ponte	1700 V	18 A	140 W	6V a 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Padrão	Não	-	Furo passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII30-12E IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Meia ponte	1200 V	33 A	150 W	2,9V a 15V, 20A	200 µA	1.2 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Furo passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Meia ponte	1200 V	50 A	200 W	2,6V a 15V, 30A	400 µA	2 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Furo passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
IXA20PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	32 A	130 W	2,1V a 15V, 15A	125 µA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Fita e carretel (TR)	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	32 A	130 W	2,1V a 15V, 15A	125 µA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	43 A	150 W	2,2V a 15V, 25A	2.1 mA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Fita e carretel (TR)	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	43 A	150 W	2,2V a 15V, 25A	2.1 mA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Fita e carretel (TR)	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	ISOPLUS™	Tubo	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	ISOPLUS™	Fita e carretel (TR)	Obsoleto	PT	Meia ponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Montagem em superfície	Módulo 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N170AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 Em estoque	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Meia ponte	1700 V	18 A	140 W	6V a 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Padrão	Não	-55°C a 150°C (TJ)	Furo passante	i4-Pac ™ -4, isolado	ISOPLUS i4-PAC™
AOMU66464Q AOMU66464Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 Em estoque	Obsoleto	-	Granel	Obsoleto	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Os transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) são dispositivos semicondutores de potência de três terminais com alta eficiência e de chaveamento rápido, utilizados principalmente como chaves eletrônicas. Eles são utilizados em fontes de alimentação chaveadas nas aplicações de alta potência como inversor de frequência variável (VFDs), carros elétricos, trens, reatores de lâmpadas e condicionadores de ar, como também em amplificadores de chaveamento – sistemas de controle industrial e sistemas de som. As matrizes de IGBT contém vários dispositivos em um invólucro em configurações de ponte completa e meia ponte.