Matrizes de FET, MOSFET

Resultados : 5 927
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyCypress Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPC
Séries
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-T2
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tecnologia
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P (meia ponte)
Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)Modo de DepleçãoPadrãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4V
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,46mOhm a 160A, 12V0,762mOhm a 160A, 12V0,8mOhm a 1200A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V1mOhm a 38A, 10V1,2mOhm a 10A, 10V1.2mOhm @ 800A, 10V1,25mOhm a 35A, 10V1,3mOhm a 100A, 10V1,35mOhm a 10A, 4,5V1,37mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V280pC a 4,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potência - Máx.
120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)200mW220mW220mW, 280mW223mW (Ta)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-55°C a 175°C-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C (TA)
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro
4-SMD, sem condutores4-UFBGA, FCBGA4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN com pad exposto4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA
Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5 x 1,5)4-DFN (1,7 x 1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
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Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tecnologia
Configuração
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
43 366
Em estoque
1 : 1,70000 €
Fita cortada (CT)
2 500 : 0,76705 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoGaNFET (nitreto de gálio)2 canais N (meia ponte)-100V1,7A70mOhm a 2A, 5V2,5V a 600µA0,73nC a 5V75pF a 50V--40°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieMatrizMatriz
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
76 203
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05530 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V295mA1,6Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,9nC a 4,5V26pF a 20V250mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
81 573
Em estoque
1 : 0,31000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05860 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V230mA7,5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V310mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
US6
SSM6N7002KFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Toshiba Semiconductor and Storage
637 946
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06408 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V300mA1,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V40pF a 10V285mW150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1 232 543
Em estoque
1 : 0,35000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06511 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V115mA7,5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
213 313
Em estoque
1 095 000
Factory
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06846 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V1,03A, 700mA480mOhm a 200mA, 5V900mV a 250µA0,5nC a 4,5V37,1pF a 10V450mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
392 749
Em estoque
1 : 0,39000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06915 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6N44FE,LM
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
7 132
Em estoque
1 : 0,38000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,07070 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico30V100mA4Ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA-8,5pF a 3V150mW150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
408 935
Em estoque
1 : 0,39000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07265 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V300mA (Ta)1,6Ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V50pF a 10V295mW150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
181 097
Em estoque
1 : 0,35000 €
Fita cortada (CT)
8 000 : 0,07274 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V50V200mA2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
20 599
Em estoque
1 : 0,40000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07367 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais P (duplo)Porta de nível lógico50V160mA7,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
40 278
Em estoque
1 : 0,40000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,07442 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V500mA, 330mA630mOhm a 200mA, 5V1V a 1mA1,23nC a 4V46pF a 10V150mW150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666ES6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
188 801
Em estoque
222 000
Factory
1 : 0,35000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07803 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico, acionamento de 4,5V30V3,4A, 2,8A60mOhm a 3,1A, 10V2,3V a 250µA13nC a 10V400pF a 15V840mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
138 341
Em estoque
1 : 0,42000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07814 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V1,07A, 845mA450mOhm a 600mA, 4,5V1V a 250µA0,74nC a 4,5V60,67pF a 10V330mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
8 969
Em estoque
1 : 0,42000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07814 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V300mA3Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,6nC a 10V20pF a 25V500mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
467 797
Em estoque
1 : 0,42000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07907 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 320mA, 10V1,6V a 250µA0,7nC a 4,5V56pF a 10V445mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 765
Em estoque
1 : 0,36000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07920 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico30V3,8A, 2,5A55mOhm a 3,4A, 10V1,5V a 250µA12,3nC a 10V422pF a 15V850mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
927 047
Em estoque
1 : 0,44000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08186 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico30V350mA1,4Ohm a 350mA, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
22 941
Em estoque
1 : 0,44000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08186 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico30V350mA, 200mA1,4Ohm a 350mA, 4,5V1,1V a 250µA0,68nC a 4,5V50pF a 15V445mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
134 632
Em estoque
1 : 0,39000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08623 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V860mA350mOhm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMC2038LVT-7
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
83 986
Em estoque
1 : 0,39000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08623 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V3,7A, 2,6A35mOhm a 4A, 4,5V1V a 250µA17nC a 10V530pF a 10V800mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
292 907
Em estoque
1 : 0,41000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,09008 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-20V540mA550mOhm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
57 801
Em estoque
1 : 0,41000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09008 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V630mA375mOhm a 630mA, 4,5V1,5V a 250µA3nC a 4,5V46pF a 20V270mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
161 830
Em estoque
1 : 0,32000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09209 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V610mA (Ta)396mOhm a 500mA, 4,5V1V a 250µA2nC a 8V43pF a 10V220mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
41 537
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
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Fita e carretel (TR)
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Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-30V250mA1,5Ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
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Matrizes de FET, MOSFET

Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos eletrônicos que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. A aplicação de uma tensão ao terminal de porta altera a condutividade entre os terminais de dreno e fonte. Os FETs são também conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem uma operação com único tipo de portador. Ou seja, os FETs usam elétrons ou lacunas como portadores de carga durante a operação, mas não os dois. Em geral, os transistores de efeito de campo exibem uma impedância muito alta de entrada a baixas frequências.