Matrizes de FET, MOSFET

Resultados : 5 567
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Séries
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tecnologia
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)
Configuração
1 canal N, 1 canal P2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P (ponte completa)
Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)Modo de DepleçãoPadrãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4V
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,46mOhm a 160A, 12V0,762mOhm a 160A, 12V765µOhm a 160A, 12V, 580µOhm a 160A, 12V765µOhm a 160A, 12V, 710µOhm a 160A, 12V0,8mOhm a 1200A, 10V0,88mOhm a 160A, 14V, 0,71mOhm a 160A, 14V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V0,99mOhm a 80A, 10V, 1,35mOhm a 80A, 10V1,039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1,2mOhm a 10A, 10V1,2mOhm a 800A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V280pC a 4,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potência - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-55°C a 175°C-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C (TA)
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro
4-SMD, sem condutores4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN com pad exposto4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5 x 1,5)4-DFN (1,7 x 1,7)
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
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Embalagem
Situação do produto
Tecnologia
Configuração
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
265 483
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03710 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V300mA1,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,6nC a 4,5V40pF a 10V285mW150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
234 145
Em estoque
1 : 0,31000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05685 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V230mA7,5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V310mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
46 157
Em estoque
1 : 0,32000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08758 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V610mA (Ta)396mOhm a 500mA, 4,5V1V a 250µA2nC a 8V43pF a 10V220mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
158 618
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08976 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V880mA400mOhm a 880mA, 2,5V750mV a 1,6µA0,26nC a 2,5V78pF a 10V500mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
91 675
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09079 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais P (duplo)Porta de nível lógico50V130mA10Ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-45pF a 25V300mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
91 074
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05544 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V295mA1,6Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0,9nC a 4,5V26pF a 20V250mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
7 286
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,05955 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico, acionamento de 1,5V20V800mA (Ta)235mOhm a 800mA, 4,5V, 390mOhm a 800mA, 4,5V1V a 1mA1nC a 10V55pF a 10V, 100pF a 10V150mW (Ta)150°C--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666ES6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
164
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08903 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-30V250mA1,5Ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA1,3nC a 5V33pF a 5V272mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
402 564
Em estoque
1 : 0,34000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06136 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm a 100mA, 4,5V1V a 1mA-12pF a 10V300mW150°C--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251 702
Em estoque
165 000
Fábrica
1 : 0,34000 €
Fita cortada (CT)
2 500 : 0,09195 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais P (duplo)Porta de nível lógico30V3,9A70mOhm a 5,3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1,1W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)8-SO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
29 989
Em estoque
1 : 0,34000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06148 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V320mA1,6Ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0,8nC a 4,5V50pF a 10V420mW150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q100Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1 224 900
Em estoque
1 : 0,35000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06316 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V115mA7,5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
186 805
Em estoque
3 579 000
Fábrica
1 : 0,35000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07779 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico, acionamento de 4,5V30V3,4A, 2,8A60mOhm a 3,1A, 10V2,3V a 250µA13nC a 10V400pF a 15V840mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
101 717
Em estoque
1 : 0,35000 €
Fita cortada (CT)
8 000 : 0,07508 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V50V200mA2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-26pF a 10V120mW150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666EMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
65 798
Em estoque
1 : 0,36000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,09750 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V540mA, 430mA550mOhm a 540mA, 4,5V1V a 250µA2,5nC a 4,5V150pF a 16V250mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
58 614
Em estoque
474 000
Fábrica
1 : 0,36000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07896 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico30V3,8A, 2,5A55mOhm a 3,4A, 10V1,5V a 250µA12,3nC a 10V422pF a 15V850mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-6 fino, TSOT-23-6TSOT-26
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
183 793
Em estoque
2 607 000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06641 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)Canal N e PPorta de nível lógico20V1,03A, 700mA480mOhm a 200mA, 5V900mV a 250µA0,5nC a 4,5V37,1pF a 10V450mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
71 377
Em estoque
441 000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09969 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-60V280mA7,5Ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-50pF a 25V150mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
46 559
Em estoque
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09954 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N-30V5A32mOhm a 5,8A, 10V1,5V a 250µA-1155pF a 15V1,4W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-VDFN com pad expostoDFN2020-6L
SOT 563
DMG1026UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Diodes Incorporated
42 978
Em estoque
549 000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09969 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V410mA1,8Ohm a 500mA, 10V1,8V a 250µA0,45nC a 10V32pF a 25V580mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
38 658
Em estoque
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 0,09562 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-30V590mA670mOhm a 590mA, 4,5V950mV a 250µA1,05nC a 4,5V30,3pF a 15V285mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-XFDFN com pad expostoDFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
35 266
Em estoque
123 000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,12573 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)-30V6,2A30mOhm a 5,8A, 10V2V a 250µA10,6nC a 10V500pF a 15V1W-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-UDFN com pad expostoU-DFN2020-6 (tipo B)
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
25 431
Em estoque
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,12381 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V370mA1,4Ohm a 340mA, 10V2,5V a 250µA1,4nC a 10V18,5pF a 30V510mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
97 117
Em estoque
1 : 0,38000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,06858 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais N (duplo)Porta de nível lógico30V100mA4Ohm a 10mA, 4V1,5V a 100µA-8,5pF a 3V150mW150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
70 858
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AtivoMOSFET (óxido metálico)2 canais P (duplo)Porta de nível lógico50V160mA7,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0,35nC a 5V36pF a 25V445mW-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfície6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
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Matrizes de FET, MOSFET


Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos eletrônicos que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. A aplicação de uma tensão ao terminal de porta altera a condutividade entre os terminais de dreno e fonte. Os FETs são também conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem uma operação com único tipo de portador. Ou seja, os FETs usam elétrons ou lacunas como portadores de carga durante a operação, mas não os dois. Em geral, os transistores de efeito de campo exibem uma impedância muito alta de entrada a baixas frequências.