Transistores - FETs, MOSFETs - Cascatas

Resultados : 4 285
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCGeneral ElectricGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLinear Integrated Systems, Inc.
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Séries
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Embalagem
-BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTubo
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Situação da peça
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
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Tipo de FET
2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P (ponte H)2 canais N e 2 canais P2 canais N
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Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)Modo de DepleçãoPadrãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4V
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Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA115mA, 130mA
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Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,8mOhm a 1200A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V1mOhm a 38A, 10V1,25mOhm a 35A, 10V1,3mOhm a 100A, 10V1,5mOhm a 33A, 10V1,6mOhm a 10A, 4,5V1,6mOhm a 40A, 10V1,66mOhm a 80A, 10V1,73mOhm a 760A, 15V1,8mOhm a 5A, 4,5V1,9mOhm a 8A, 4,5V
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Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)420mV a 1µA450mV a 100µA (mín.)
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Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,1pC a 4,5V, 0,7pC a 4,5V0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,3nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V0,34nC a 4,5V0,35nC a 4,5V0,35nC a 5V
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Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V9pF a 15V9,1pF a 3V
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Potência - Máx.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
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Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-55°C a 175°C-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C (Tc)-40°C a 150°C (TJ)-40°C a 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
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Pacote / Invólucro
SMD-4, sem condutoresUFBGA-4, WLBGAUFBGA-4, WLCSPVDFN-4VFDFN-4 com pad expostoXDFN-4XFBGA-4XFBGA-4, FCBGAXFBGA-4, WLBGAXFBGA-4, WLCSPXFLGA-4XFLGA-4, CSPLGA-5
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Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-Chip LGA (1,59x1,59)AlphaDFN-4 (0,97x0,97)BGA-4 (1x1)DFN-4 (1,5 x 1,5)DFN-4 (1,7 x 1,7)EFCP-4 (1,01x1,01)EFLIP-LGA-4 (1,11x1,11)EFLIP-LGA-4 (1,4x1,4)EFLIP-LGA-4 (1,62x1,62)Picostar 4 (1,31x1,31)QFN-4 (2x2)WLCSP-4 (1,26x1,26)
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Opções de estoque
Mídia
Opções ambientais
PRODUTO DO MERCADO
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N.º de peça do fabricante
Preço
Estoque
Fabricante
Fabricante
Qtd. mín.
N.º de peça da DK
Séries
Embalagem
Situação da peça
Tipo de FET
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
1,60000 €
38 000 - Imediato
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (meia ponte)GaNFET (nitreto de gálio)100V1,7A70mOhm a 2A, 5V2,5V a 600µA0,73nC a 5V75pF a 50V--40°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieMatrizMatriz
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
2,09000 €
21 385 - Imediato
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N com fonte comum (duplo)GaNFET (nitreto de gálio)120V3,4A60mOhm a 4A, 5V2,5V a 700µA0,8nC a 5V80pF a 60V--40°C a 150°C (TJ)-MatrizMatriz
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
7,06000 €
1 848 - Imediato
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (meia ponte)GaNFET (nitreto de gálio)60V23A4,4mOhm a 20A, 5V2,5V a 7mA6,8nC a 5V830pF a 30V--40°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieMatrizMatriz
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
626,12000 €
28 - Imediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Bandeja
Ativo2 canais N (meia ponte)Carboneto de silício (SiC)1200V (1,2kV)300A (Tc)-4V a 68mA-35000pF a 10V1875W-40°C a 150°C (TJ)Montagem em chassisMóduloMódulo
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
0,41000 €
38 705 - Imediato
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-3126-2-ND
1727-3126-1-ND
1727-3126-6-ND
TrenchMOS™
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V860mA350mOhm a 200mA, 4,5V1,5V a 250µA0,72nC a 4,5V34pF a 20V410mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-6, SC-88, SOT-363TSSOP-6
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
0,41000 €
3 320 - Imediato
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1333-2-ND
1727-1333-1-ND
1727-1333-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V800mA380mOhm a 500mA, 4,5V950mV a 250µA0,68nC a 4,5V83pF a 10V500mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-666
SOT-963
DMC2990UDJ-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT963
0,40000 €
221 040 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC2990UDJ-7DITR-ND
DMC2990UDJ-7DICT-ND
DMC2990UDJ-7DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPorta de nível lógico20V450mA, 310mA990mOhm a 100mA, 4,5V1V a 250µA0,5nC a 4,5V27,6pF a 15V350mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-963SOT-963
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
0,35000 €
59 707 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Porta de nível lógico30V3,9A70mOhm a 5,3A, 10V3V a 250µA11nC a 10V563pF a 25V1,1W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SO-8
SOT-363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363
0,41000 €
0 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
BSS138DWQ-7DITR-ND
BSS138DWQ-7DICT-ND
BSS138DWQ-7DIDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Padrão50V200mA3,5Ohm a 220mA, 10V1,5V a 250µA-50pF a 10V200mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-6, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
0,41000 €
23 263 - Imediato
760 000 - Fábrica
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPorta de nível lógico30V220mA, 200mA1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 250µA0,38nC a 4,5V22,6pF a 15V350mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
0,44000 €
29 364 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Padrão12V5,6A29mOhm a 5A, 4,5V1V a 250µA19,6nC a 8V914pF a 6V1,4W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieUDFN-6 com pad expostoU-DFN2020-6 (tipo B)
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
0,42000 €
87 845 - Imediato
onsemionsemi
1
2N7002VTR-ND
2N7002VCT-ND
2N7002VDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico60V280mA7,5Ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-50pF a 25V250mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-563, SOT-666SOT-563F
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
0,49000 €
88 139 - Imediato
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N com dreno comum (duplo)Porta de nível lógico20V4,2A28mOhm a 8,2A, 4,5V900mV a 250µA8,3nC a 4,5V856pF a 10V980mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-23-6SOT-26
SOT-963_527AD
NTUD3170NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963
0,52000 €
0 - Imediato
onsemionsemi
1
NTUD3170NZT5GOSTR-ND
NTUD3170NZT5GOSCT-ND
NTUD3170NZT5GOSDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico20V220mA1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 250µA-12,5pF a 15V125mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-963SOT-963
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
0,56000 €
15 779 - Imediato
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico30V590mA480mOhm a 590mA, 10V3V a 250µA1,4nC a 10V-270mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-6, SC-88, SOT-363SC-70-6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
0,63000 €
12 858 - Imediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPadrão30V, 20V1,5A, 1A240mOhm a 1,5A, 4,5V1,5V a 1mA2,2nC a 4,5V80pF a 10V1W150°C (TJ)Montagem em superfícieSMD-6, condutores planosTUMT6
8-SOIC
AOSD21311C
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
0,63000 €
51 070 - Imediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-AOSD21311CTR-ND
785-AOSD21311CCT-ND
785-AOSD21311CDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Padrão30V5A (Ta)42mOhm a 5A, 10V2,2V a 250µA23nC a 10V720pF a 15V1,7W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SOIC-8
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
0,59000 €
29 759 - Imediato
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Padrão20V220mA (Ta)1,5Ohm a 100mA, 4,5V1V a 100µA-12,5pF a 15V125mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
0,65000 €
55 558 - Imediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs2 canais N (duplo)Porta de nível lógico40V6A30mOhm a 6A, 10V3V a 250µA10,8nC a 10V650pF a 20V2W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SOIC-8
FDMAxxxxxZ
FDMA3023PZ
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
0,64000 €
5 230 - Imediato
onsemionsemi
1
FDMA3023PZTR-ND
FDMA3023PZCT-ND
FDMA3023PZDKR-ND
PowerTrench®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais P (duplo)Porta de nível lógico30V2,9A90mOhm a 2,9A, 4,5V1V a 250µA11nC a 4,5V530pF a 15V700mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieVDFN-6 com pad expostoMicroFET-6 (2x2)
8-SOIC
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
0,71000 €
275 890 - Imediato
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1317-2-ND
785-1317-1-ND
785-1317-6-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Porta de nível lógico40V8A19mOhm a 8A, 10V2,4V a 250µA12nC a 10V415pF a 20V2W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieSOIC-8 (largura 0,154", 3,90mm)SOIC-8
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
0,68000 €
68 423 - Imediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPorta de nível lógico20V2,4A, 1,7A140mOhm a 1,7A, 4,5V700mV a 250µA8nC a 4,5V260pF a 15V1,25W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-8, MSOP-8 (largura 0,118", 3,00mm)Micro8™
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
0,76000 €
78 382 - Imediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7509TRPBFTR-ND
IRF7509TRPBFCT-ND
IRF7509TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal N e PPorta de nível lógico30V2,7A, 2A110mOhm a 1,7A, 10V1V a 250µA12nC a 10V210pF a 25V1,25W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-8, MSOP-8 (largura 0,118", 3,00mm)Micro8™
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
0,88000 €
83 778 - Imediato
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7530TRPBFTR-ND
IRF7530TRPBFCT-ND
IRF7530TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Padrão20V5,4A30mOhm a 5,4A, 4,5V1,2V a 250µA26nC a 4,5V1310pF a 15V1,3W-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieTSSOP-8, MSOP-8 (largura 0,118", 3,00mm)Micro8™
MFG_6-VDFN-Exposed-Pad
TSM250N02DCQ RFG
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
0,93000 €
48 106 - Imediato
Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation
1
TSM250N02DCQRFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGCT-ND
TSM250N02DCQRFGDKR-ND
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo2 canais N (duplo)Padrão20V5,8A (Tc)25mOhm a 4A, 4,5V800mV a 250µA7,7nC a 4,5V775pF a 10V620mW-55°C a 150°C (TJ)Montagem em superfícieVDFN-6 com pad expostoTDFN-6 (2x2)
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