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1 3,13000 €3,13
10 2,62900 €26,29
25 2,48080 €62,02
100 2,12660 €212,66
500 1,89028 €945,14

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Embalagem alternativa
  • Bandă și mosor (TR)  : 917-1087-2-ND
  • Quantidade mínima: 1 000
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 50 000 - Imediato
  • Preço unitário: 1,65400 €
  • Digi-Reel®  : 917-1087-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 50 628 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®
Número de peça da Digi-Key 917-1087-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de peça do fabricante EPC2019
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Descrição GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
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Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 200V 8,5A (Ta) Montagem em superfície Matriz

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC2019
Produto em destaque EPC9052/53/54 Development Boards
Wireless Power Solutions
Biblioteca de designs de referência EPC9014: 4A, 0 ~ 200V, Half H-Bridge
PCN sobre design/especificação Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCN sobre origem/montagem Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Bandă tăiată la lungime (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 50mOhm a 7A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 2,5nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 270pF @ 100V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Matriz
Pacote / Invólucro Matriz
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Para uso com

EPC9053

BOARD DEV EPC2019 EGAN FET

EPC

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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1087-1