Matrizes de FET, MOSFET

Resultados : 5 752
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Séries
-*448AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VI
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tecnologia
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiCFET (carboneto de silício)
Configuração
2 canais N2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P
Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)Modo de DepleçãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4VPorta de nível lógico, acionamento de 5V
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,46mOhm a 160A, 12V0,762mOhm a 160A, 12V0,765mOhm a 160A, 12V, 0,580mOhm a 160A, 12V0,765mOhm a 160A, 12V, 0,710mOhm a 160A, 12V0,8mOhm a 1200A, 10V0,88mOhm a 160A, 14V, 0,71mOhm a 160A, 14V0,88mOhm a 50A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V0,99mOhm a 80A, 10V, 1,35mOhm a 80A, 10V1,039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1,15mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V50pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potência - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro
4-SMD, sem condutores4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN pad exposto4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5 x 1,5)4-DFN (1,7 x 1,7)
Opções de estoque
Opções ambientais
Mídia
PRODUTO DO MERCADO
5 752Resultados
Mostrando
de 5 752
N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tecnologia
Configuração
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
345 066
Em estoque
1 : 0,12000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03208 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
60V
300mA
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0,6nC a 4,5V
40pF a 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
117 088
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05034 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
60V
230mA
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
310mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
70 669
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,05025 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm a 800mA, 4,5V, 390mOhm a 800mA, 4,5V
1V a 1mA
1nC a 10V
55pF a 10V, 100pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2 098
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04948 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
320mA
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0,8nC a 4,5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q100
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190 573
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05356 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
12pF a 10V
300mW
150°C
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37 345
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 0,05028 €
Fita e carretel (TR)
1 : 0,24000 €
Fita cortada (CT)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
600mA
620mOhm a a 600mA, 4,5V
950mV a 250µA
0,7nC a 4,5V
21,3pF a 10V
265mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-XFDFN pad exposto
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4 761
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05771 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
300mA
3Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,6nC a 10V
20pF a 25V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140 641
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,05640 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
30V
100mA
4Ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
-
8,5pF a 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48 979
Em estoque
1 602 000
Fábrica
1 : 0,24000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06363 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
20V
1,07A, 845mA
450mOhm a 600mA, 4,5V
1V a 250µA
0,74nC a 4,5V
60,67pF a 10V
330mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
743 474
Em estoque
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05553 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
1V a 1mA
-
25pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335 882
Em estoque
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07067 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
164 295
Em estoque
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
8 000 : 0,06237 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
100 345
Em estoque
3 012 000
Fábrica
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06929 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico, acionamento de 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm a 3,1A, 10V
2,3V a 250µA
13nC a 10V
400pF a 15V
840mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6 247
Em estoque
2 514 000
Fábrica
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07014 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm a 3,4A, 10V
1,5V a 250µA
12,3nC a 10V
422pF a 15V
850mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130 063
Em estoque
1 : 0,29000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07666 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
880mA
400mOhm a 880mA, 2,5V
750mV a 1,6µA
0,26nC a 2,5V
78pF a 10V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68 880
Em estoque
1 : 0,29000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07754 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
860mA
350mOhm a 200mA, 4,5V
1,5V a 250µA
0,72nC a 4,5V
34pF a 20V
410mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
455 532
Em estoque
1 : 0,29000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,07745 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
20V
540mA
550mOhm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
2,5nC a 4,5V
150pF a 16V
250mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94 203
Em estoque
1 : 0,29000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08095 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
115mA
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
200mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28 803
Em estoque
1 : 0,29000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08075 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
630mA
375mOhm a 630mA, 4,5V
1,5V a 250µA
3nC a 4,5V
46pF a 20V
270mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
12 395
Em estoque
1 : 0,29000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,07651 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm a 500mA, 4,5V, 300mOhm a 400mA, 4,5V
1V a 1mA
2nC a 4,5V, 1,76nC a 4,5V
90pF a 10V, 110pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
ES6
37 586
Em estoque
1 : 0,30000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08177 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
30V
400mA, 200mA
700mOhm a 200MA, 10V
1,8V a 100µA
-
20pF a 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35 474
Em estoque
1 : 0,30000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08284 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
950mA
350mOhm a 950mA, 4,5V
1,2V a 1,6µA
0,32nC a 4,5V
63pF a 10V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76 474
Em estoque
1 : 0,31000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,08278 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
800mA
380mOhm a 500mA, 4,5V
950mV a 250µA
0,68nC a 4,5V
83pF a 10V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
onsemi
55 332
Em estoque
1 : 0,31000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,08185 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais P (duplo)
-
20V
430mA
900mOhm a 430mA, 4,5V
1V a 250µA
2,5nC a 4,5V
175pF a 16V
250mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
15 332
Em estoque
1 : 0,32000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08795 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
610mA (Ta)
396mOhm a 500mA, 4,5V
1V a 250µA
2nC a 8V
43pF a 10V
220mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
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Matrizes de FET, MOSFET

Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos eletrônicos que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. A aplicação de uma tensão ao terminal de porta altera a condutividade entre os terminais de dreno e fonte. Os FETs são também conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem uma operação com único tipo de portador. Ou seja, os FETs usam elétrons ou lacunas como portadores de carga durante a operação, mas não os dois. Em geral, os transistores de efeito de campo exibem uma impedância muito alta de entrada a baixas frequências.