Matrizes de FET, MOSFET

Resultados : 5 688
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Séries
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e carretel (TR)GranelTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tecnologia
-Carboneto de silício (SiC)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiCFET (carboneto de silício)
Configuração
2 canais N2 canais N (buck chopper duplo)2 canais N (duplo)2 canais N (duplo), Schottky2 canais N (em cascode)2 canais N (meia ponte)2 canais N (phase leg)2 canais N assimétricos (duplo)2 canais N com dreno comum (duplo)2 canais N com fonte comum (duplo)2 canais N com pares conjugados (duplo)2 canais N e 2 canais P
Característica FET
-Carboneto de silício (SiC)Modo de DepleçãoPorta de nível lógicoPorta de nível lógico, acionamento de 0,9VPorta de nível lógico, acionamento de 1,2VPorta de nível lógico, acionamento de 1,5VPorta de nível lógico, acionamento de 1,8VPorta de nível lógico, acionamento de 10VPorta de nível lógico, acionamento de 2,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4,5VPorta de nível lógico, acionamento de 4VPorta de nível lógico, acionamento de 5V
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,46mOhm a 160A, 12V0,762mOhm a 160A, 12V0,765mOhm a 160A, 12V, 0,580mOhm a 160A, 12V0,765mOhm a 160A, 12V, 0,710mOhm a 160A, 12V0,8mOhm a 1200A, 10V0,88mOhm a 160A, 14V, 0,71mOhm a 160A, 14V0,88mOhm a 50A, 10V0,95mOhm a 30A, 10V0,95mOhm a 8A, 4,5V0,99mOhm a 80A, 10V, 1,35mOhm a 80A, 10V1,039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1,2mOhm a 800A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0,4pC a 4,5V, 7,3nC a 4,5V0,45pC a 4,5V0,16nC a 5V, 0,044nC a 5V0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V0,26nC a 2,5V0,28nC a 4,5V0,28nC a 4,5V, 0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V0,3nC a 4,5V, 0,28nC a 4,5V0,304nC a 4,5V0,31nC a 4,5V0,32nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2,5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6,2pF a 10V6,6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7,1pF a 10V7,4pF a 10V7,5pF a 10V8,5pF a 3V
Potência - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 150°C-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (Tc)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 155°C (TJ)-55°C a 175°C-55°C a 175°C (TA)-55°C a 175°C (TJ)-50°C a 150°C (TJ)-40°C a 125°C
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro
4-SMD, sem condutores4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN pad exposto4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Invólucro do dispositivo fornecido
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5 x 1,5)4-DFN (1,7 x 1,7)
Opções de estoque
Opções ambientais
Mídia
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N.º de peça do fabricante
QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tecnologia
Configuração
Característica FET
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Potência - Máx.
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Pacote / Invólucro
Invólucro do dispositivo fornecido
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
775 266
Em estoque
1 : 0,24000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05280 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
1V a 1mA
-
25pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
354 008
Em estoque
1 : 0,24000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05397 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
242 935
Em estoque
385 000
Fábrica
1 : 0,24000 €
Fita cortada (CT)
2 500 : 0,07270 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais P (duplo)
Porta de nível lógico
30V
3,9A
70mOhm a 5,3A, 10V
3V a 250µA
11nC a 10V
563pF a 25V
1,1W
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147 885
Em estoque
72 000
Fábrica
1 : 0,27000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,10905 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
540mA
550mOhm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
-
150pF a 16V
225mW
-65°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 172
Em estoque
1 : 0,28000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,11078 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P, Dreno Comum
Porta de nível lógico
30V
6A, 5,5A
30mOhm a 6A, 10V
2,4V a 250µA
6,3nC a 10V
310pF a 15V
2W
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
152 300
Em estoque
1 : 0,31000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05684 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
60V
230mA
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
310mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
70 442
Em estoque
1 : 0,32000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08756 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
610mA (Ta)
396mOhm a 500mA, 4,5V
1V a 250µA
2nC a 8V
43pF a 10V
220mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
34 613
Em estoque
1 : 0,32000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,05777 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm a 800mA, 4,5V, 390mOhm a 800mA, 4,5V
1V a 1mA
1nC a 10V
55pF a 10V, 100pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
21 064
Em estoque
1 : 0,32000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05803 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designs
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
320mA
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,4V a 250µA
0,8nC a 4,5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q100
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
162 601
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05952 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico, acionamento de 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
12pF a 10V
300mW
150°C
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
136 761
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,05543 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
295mA
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,9nC a 4,5V
26pF a 20V
250mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
121 332
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,08901 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
30V
250mA
1,5Ohm a 10mA, 4V
1,5V a 100µA
1,3nC a 5V
33pF a 5V
272mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20 617
Em estoque
1 : 0,33000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09062 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
20V
950mA
350mOhm a 950mA, 4,5V
1,2V a 1,6µA
0,32nC a 4,5V
63pF a 10V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
94 009
Em estoque
1 215 000
Fábrica
1 : 0,34000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09193 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
-
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm a 3,1A, 10V
2,3V a 250µA
13nC a 10V
400pF a 15V
840mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
TSOT-26
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
107 784
Em estoque
1 : 0,35000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 0,09077 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P complementar
Porta de nível lógico
20V
600mA, 500mA
620mOhm a a 600mA, 4,5V
950mV a 250µA
0,7nC a 4,5V
21,3pF a 10V
265mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-XFDFN pad exposto
DFN1010B-6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
85 819
Em estoque
1 : 0,36000 €
Fita cortada (CT)
4 000 : 0,09748 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
20V
540mA, 430mA
550mOhm a 540mA, 4,5V
1V a 250µA
2,5nC a 4,5V
150pF a 16V
250mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
51 499
Em estoque
1 038 000
Fábrica
1 : 0,36000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,07895 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm a 3,4A, 10V
1,5V a 250µA
12,3nC a 10V
422pF a 15V
850mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
435 029
Em estoque
1 884 000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09967 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,3nC a 4,5V
30pF a 25V, 25pF a 25V
450mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
155 786
Em estoque
2 568 000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06640 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
20V
1,03A, 700mA
480mOhm a 200mA, 5V
900mV a 250µA
0,5nC a 4,5V
37,1pF a 10V
450mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64 709
Em estoque
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09967 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
60V
280mA
7,5Ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
50pF a 25V
150mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
41 798
Em estoque
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
5 000 : 0,09554 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
30V
590mA
670mOhm a 590mA, 4,5V
950mV a 250µA
1,05nC a 4,5V
30,3pF a 15V
285mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-XFDFN pad exposto
DFN1010B-6
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
15 320
Em estoque
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,09952 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N
-
30V
5A
32mOhm a 5,8A, 10V
1,5V a 250µA
-
1155pF a 15V
1,4W
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-VDFN pad exposto
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
10 655
Em estoque
30 000
Fábrica
1 : 0,37000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,12571 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
-
30V
6,2A
30mOhm a 5,8A, 10V
2V a 250µA
10,6nC a 10V
500pF a 15V
1W
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-UDFN pad exposto
U-DFN2020-6 (tipo B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
90 450
Em estoque
1 : 0,38000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,06820 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
2 canais N (duplo)
Porta de nível lógico
60V
300mA
3Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0,6nC a 10V
20pF a 25V
500mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
31 164
Em estoque
1 : 0,38000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,10215 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
MOSFET (óxido metálico)
Canal N e P
Porta de nível lógico
30V
700mA, 500mA
388mOhm a 600mA, 10V
2,5V a 250µA
1,5nC a 10V
28pF a 15V
340mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
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Montagem em superfície
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
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Matrizes de FET, MOSFET


Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos eletrônicos que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente. A aplicação de uma tensão ao terminal de porta altera a condutividade entre os terminais de dreno e fonte. Os FETs são também conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem uma operação com único tipo de portador. Ou seja, os FETs usam elétrons ou lacunas como portadores de carga durante a operação, mas não os dois. Em geral, os transistores de efeito de campo exibem uma impedância muito alta de entrada a baixas frequências.