FET simples, MOSFETs

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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
178 115
Em estoque
1 : 0,12000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02312 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
451 161
Em estoque
1 : 0,13000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02446 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1 252 223
Em estoque
1 : 0,14000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02631 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
sot-23
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
85 533
Em estoque
1 : 0,14000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02722 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
10 341
Em estoque
1 : 0,14000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02812 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
310mA (Ta)
5V, 10V
3Ohm a 115mA, 10V
2V a 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1 680
Em estoque
1 : 0,16000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03218 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
360mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
1,5V a 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
236mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
59 300
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03232 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
310mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
196 555
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03327 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
29 136
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03610 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6Ohm a 115mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
880 855
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03678 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
BCV27
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
131 469
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03591 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
25 V
220mA (Ta)
2,7V, 4,5V
4Ohm a 400mA, 4,5V
1,06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 155°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
129 193
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03678 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,5V, 4,5V
2,2Ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montagem em superfície
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
49 520
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03754 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
48 530
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03546 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
11 830
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
8 000 : 0,03140 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
250mA (Ta)
1,2V, 4,5V
1,1Ohm a 150mA, 4,5V
1V a 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
VESM
SOT-723
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
1 479 394
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04009 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
UMT3F
SC-85
121 313
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,03177 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
CST3
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
94 461
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03654 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
64 780
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03884 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
46 549
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04172 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-75
MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
onsemi
42 379
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04140 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
238mA (Tj)
2,5V, 4,5V
3Ohm a 10mA, 4,5V
1,5V a 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SOT 23-3
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
0
Em estoque
20 000
Mercado
Verifique o tempo de espera
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,03538 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5Ohm a 10mA, 4V
1,4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTD143ECHZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
119 488
Em estoque
1 : 0,23000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04653 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
68 651
Em estoque
1 : 0,23000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,03948 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
310mA (Ta)
10V
3,5Ohm a 220mA, 10V
1,5V a 250µA
0.95 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
380mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
57 615
Em estoque
1 : 0,23000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04668 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
20 V
460mA (Ta)
1,8V, 4,5V
700mOhm a 350mA, 4,5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-523
SOT-523
Mostrando
de 44 578

FET simples, MOSFETs


Transistores de efeito de campo simples (FETs) e transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) são tipos de transistores usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.

Um FET simples opera controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais da fonte e do dreno, por meio de um campo elétrico gerado por uma tensão aplicada ao terminal de porta. A principal vantagem dos FETs é sua alta impedância de entrada, o que os torna ideais para uso em amplificação de sinais e circuitos analógicos. Eles são amplamente utilizados em aplicações como amplificadores, osciladores e estágios de buffer em circuitos eletrônicos.

Os MOSFETs, um subtipo de FETs, têm um terminal de porta isolado do canal por uma fina camada de óxido, o que melhora seu desempenho e os torna altamente eficientes. Os MOSFETs podem ser categorizados em dois tipos:

Os MOSFETs são preferidos em muitas aplicações devido ao seu baixo consumo de energia, chaveamento de alta velocidade e capacidade de lidar com grandes correntes e tensões. Eles são cruciais em circuitos digitais e analógicos, incluindo fontes de alimentação, acionadores de motor e aplicações de radiofrequência.

A operação dos MOSFETs pode ser dividida em dois modos:

  • Modo de enriquecimento: neste modo, o MOSFET normalmente está desligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Para ligar é necessária uma tensão de porta-fonte positiva (para canal n) ou uma tensão de porta-fonte negativa (para canal p).
  • Modo de depleção: neste modo, o MOSFET normalmente está ligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Aplicar uma tensão de porta-fonte de polaridade oposta pode desligá-lo.

Os MOSFETs oferecem diversas vantagens, como:

  1. Alta eficiência: eles consomem muito pouca energia e podem alternar estados rapidamente, o que os torna altamente eficientes para aplicações de gerenciamento de energia.
  2. Baixa resistência de condução: eles têm baixa resistência quando ligados, o que minimiza a perda de potência e a geração de calor.
  3. Alta impedância de entrada: a estrutura de porta isolada resulta em impedância de entrada extremamente alta, tornando-os ideais para amplificação de sinais de alta impedância.

Em resumo, FETs simples, particularmente MOSFETs, são componentes fundamentais na eletrônica moderna, conhecidos por sua eficiência, velocidade e versatilidade em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal de baixa potência até chaveamento e controle de alta potência.