Name: T2N7002BK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002BKLMTR-ND
Price: 0.1599 EUR
Availability: OutOfStock

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T2N7002BK,LM
Número de produto da DigiKey	T2N7002BKLMTR-ND - Fita e carretel (TR) T2N7002BKLMCT-ND - Fita cortada (CT) T2N7002BKLMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	T2N7002BK,LM
Descrição	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 400mA (Ta) 320mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	T2N7002BK,LM Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	400mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	40 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	320mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	T2N7002

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