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1 2,67000 €2,67
10 2,39800 €23,98
25 2,26720 €56,68
100 1,96520 €196,52
500 1,67292 €836,46
1.000 1,41089 €1.410,89

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  • Fita e carretel (TR)  : 917-1078-2-ND
  • Quantidade mínima: 2.500
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 10.000 - Imediato
  • Preço unitário: € 1,37425
  • Digi-Reel®  : 917-1078-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 11.039 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®
Número de peça da Digi-Key 917-1078-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de peça do fabricante EPC8009
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Descrição GANFET N-CH 65V 2.7A DIE
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Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 65V 4A (Ta) Montagem em superfície Matriz

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC8009
eGaN® FET Brief
Módulos de treinamento sobre produtos eGaN® FET Reliability
Biblioteca de designs de referência EPC9029: 3.5A, 0 ~ 65V, Half H-Bridge
PCN sobre origem/montagem Assembly Site 25/Jun/2021
Ficha técnica HTML eGaN® FET Brief
EPC8009
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Fita cortada (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 65V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 130mOhm a 500mA, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 0,45nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 52pF @ 32,5V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Matriz
Pacote / Invólucro Matriz
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Para uso com

EPC9067

BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN F

EPC

€ 134,13000 Detalhes
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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1078-1