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100 1,82280 €182,28
500 1,62024 €810,12
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  • Bandă și mosor (TR)  : 917-1078-2-ND
  • Quantidade mínima: 2 500
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 10 000 - Imediato
  • Preço unitário: 1,38089 €
  • Digi-Reel®  : 917-1078-6-ND
  • Quantidade mínima: 1
  • QUANTIDADE DISPONÍVEL: 11 979 - Imediato
  • Preço unitário: Digi-Reel®
Número de peça da Digi-Key 917-1078-1-ND
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Fabricante

EPC

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Número de peça do fabricante EPC8009
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Descrição GANFET N-CH 65V 2.7A DIE
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Tempo de espera previsto do fabricante 12 semanas
Descrição detalhada

Canal N 65V 2,7A (Ta) Montagem em superfície Matriz

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Referência do cliente
Documentos e mídia
Fichas técnicas EPC8009
eGaN® FET Brief
Módulos de treinamento sobre produtos eGaN® FET Reliability
Biblioteca de designs de referência EPC9029: 3.5A, 0 ~ 65V, Half H-Bridge
PCN sobre origem/montagem Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Ficha técnica HTML eGaN® FET Brief
EPC8009
Atributos de produto
TIPO Descrição SELECIONAR TUDO
Categorias
Fabricante EPC
Séries eGaN®
Embalagem Bandă tăiată la lungime (CT) 
Situação da peça Ativo
Tipo de FET Canal N
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 65V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 130mOhm a 500mA, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 0,45nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 52pF @ 32,5V
Característica FET -
Dissipação de potência (máx.) -
Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido Matriz
Pacote / Invólucro Matriz
 
Classificação de exportação e ambiental
Situação da RoHS Conformidade com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Para uso com

EPC9067

BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN F

EPC

134,78000 € Detalhes
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Recursos adicionais
Embalagem padrão 1
Outros nomes 917-1078-1