IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

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SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

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Canal N 220 V 72A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2

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IPB156N22NFDATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB156N22NFDATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB156N22NFDATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB156N22NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB156N22NFDATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 220 V 72A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB156N22NFDATMA1 Modelos

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Category Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 270µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 87 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ FD	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6930 pF @ 110 V
Part Status Descontinuado na DigiKey	Dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 220 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3-2
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 72A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB156
Rds on (máx.) para Id, Vgs 15,6mOhm a 50A, 10V

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
SQM90142E_GE3	Vishay Siliconix	1 769	SQM90142E_GE3CT-ND	3,55000 €	Similar

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