MOSFET de carbeto de silício (SiC) de 3300 V MSC400SMA330

O MSC400SMA330 de alto desempenho da Microchip ajuda a maximizar a eficiência do sistema e minimizar o peso e a dimensão do sistema

Imagem do MOSFET de carbeto de silício (SiC) de 3300 V MSC400SMA330 da MicrochipMSC400SMA330 é parte da família de dispositivos MOSFET de SiC da Microchip. As soluções de SiC da Microchip se concentra no alto desempenho, ajudando a maximizar a eficiência do sistema e minimizar o peso e a dimensão do sistema. A confiabilidade comprovada do SiC da Microchip garante também a ausência da degradação do desempenho em relação à vida útil do equipamento final.

Características

  • Baixas capacitâncias e pouca carga na porta
  • Velocidade rápida de chaveamento devido à baixa resistência interna na porta (ESR)
  • Operação estável em alta temperatura da junção, TJ(máx.) = 150°C
  • Diodo incorporado rápido e confiável
  • Robustez superior em avalanche
  • Conformidade com RoHS

MSC400SMA330 3300 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

ImagemNúmero de peça do fabricanteDescriçãoAvailable QuantityPreçoVer detalhes
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24MSC400SMA330B4MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-240 - ImmediateSee Page for PricingVer detalhes
Published: 2024-01-19