Vishay / Siliconix

MOSFETs ger. V TrenchFET

Os MOSFETs de 80 V, 100 V e 150 V da Vishay apresentam FOM muito baixa do RDS a Qg

Imagem dos MOSFETs TrenchFET® ger. V da Vishay SiliconixOs MOSFETs de potência ger. V da Vishay, tecnologia TrenchFET®, fornecem maior densidade de potência e eficiência para ambas topologias isoladas e não isoladas. A resistência de saturação baixíssima, a operação a alta temperatura até +175°C e o invólucro PowerPAK® com economia de espaço da Vishay promovem a confiabilidade ao nível da placa com construção de ligação sem fio. Esta série é 100% testada para RG e UIS, com conformidade RoHS e livre de halogênio.

Características
  • FOM muito baixa do RDS a Qg
  • Ajustado para a FOM mais baixa do RDS a QOSS
Aplicações
  • Retificação síncrona
  • Comutações do lado primário
  • Conversores CC/CC
  • Microinversores solares
  • Comutações para acionamentos de motor
  • Comutações de bateria e carga
  • Acionamentos de motores industriais
  • Carregadores de bateria

Gen V TrenchFET MOSFETs

ImagemNúmero de peça do fabricanteDescriçãoTensão dreno-fonte (Vdss)Available QuantityPreçoVer detalhes
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETSIDR5802EP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET80 V0 - Immediate$3.30Ver detalhes
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWESIR5802DP-T1-RE3N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE80 V5633 - Immediate$2.42Ver detalhes
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR5102DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW100 V4258 - Immediate$3.56Ver detalhes
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFESIDR5102EP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE100 V4370 - Immediate$3.39Ver detalhes
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW150 V3831 - Immediate$3.12Ver detalhes
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFESIDR578EP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE150 V5662 - Immediate$3.63Ver detalhes
Published: 2023-10-16

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