Canal N 650 V 13A (Tc) 300W (Tc) Furo passante TO-220
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AMTP65H150G4PS

Número de produto da DigiKey
5318-AMTP65H150G4PS-ND
Fabricante
Analog Power Inc.
Número de produto do fabricante
AMTP65H150G4PS
Descrição
GAN FET N-CH 650V TO-220
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 13A (Tc) 300W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Analog Power Inc.
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
150mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
8 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
598 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220
Pacote / Invólucro
TO-220-3
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