Name: CGD65C055SP2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65C055SP2TR-ND
Price: 13.2102 EUR
Availability: InStock

Novo produto

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

CGD65C055SP2
Número de produto da DigiKey	4768-CGD65C055SP2TR-ND - Fita e carretel (TR) 4768-CGD65C055SP2CT-ND - Fita cortada (CT) 4768-CGD65C055SP2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Cambridge GaN Devices
Número de produto do fabricante	CGD65C055SP2
Descrição	650V GAN HEMT, 55 MOHM, 27A, BHD
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 27A Montagem em superfície, flanco impregnável BHDFN-9-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V
Fabricante Cambridge GaN Devices	Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 27A
Séries P2	Rds on (máx.) para Id, Vgs 77mOhm a 10A, 15V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs(th) (máx.) para Id 4,2V a 10mA
Part Status Ativo	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Tipo de FET Canal N	Invólucro do dispositivo fornecido BHDFN-9-1
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)