Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 0.7995 EUR
Availability: InStock

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DMG3415UFY4Q-7
Número de produto da DigiKey	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMG3415UFY4Q-7
Descrição	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 16 V 2,5A (Ta) 650mW (Ta) Montagem em superfície X2-DFN2015-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMG3415UFY4Q-7 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 10 nC @ 4.5 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 282 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 650mW (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 16 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,5A (Ta)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Invólucro do dispositivo fornecido X2-DFN2015-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 39mOhm a 4A, 4,5V	Pacote / Invólucro 3-XDFN
Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA	Número base de produto DMG3415

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