Name: DMG4407SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4407SSS-13DITR-ND
Price: 1.0332 EUR
Availability: OutOfStock

DMG4407SSS-13
Número de produto da DigiKey	DMG4407SSS-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMG4407SSS-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMG4407SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMG4407SSS-13
Descrição	MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 9,9A (Ta) 1,45W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMG4407SSS-13 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11mOhm a 12A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2246 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,45W (Ta)
Temperatura de operação	-50°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	DMG4407

Preço unitário sem VAT:	0,84000 €
Preço unitário com VAT:	1,03320 €

DMG4407SSS-13