Name: DMN1019USN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-7DITR-ND
Price: 0.6642 EUR
Availability: InStock

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DMN1019USN-7
Número de produto da DigiKey	DMN1019USN-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN1019USN-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN1019USN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN1019USN-7
Descrição	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 12 V 9,3A (Ta) 680mW (Ta) Montagem em superfície SC-59-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMN1019USN-7 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 800mV a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 50.6 nC @ 8 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2426 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 680mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 12 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9,3A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido SC-59-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,2V, 2,5V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10mOhm a 9,7A, 4,5V	Número base de produto DMN1019

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