Name: DMN1019UVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019UVT-7DITR-ND
Price: 0.6273 EUR
Availability: InStock

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DMN1019UVT-7
Número de produto da DigiKey	DMN1019UVT-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN1019UVT-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN1019UVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN1019UVT-7
Descrição	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 12 V 10,7A (Ta) 1,73W (Ta) Montagem em superfície TSOT-26
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	12 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10mOhm a 9,7A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	800mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	50.4 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2588 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,73W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TSOT-26
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Número base de produto	DMN1019

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