Name: DMN10H170SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SK3-13DITR-ND
Price: 1.0947 EUR
Availability: InStock

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DMN10H170SK3-13
Número de produto da DigiKey	DMN10H170SK3-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN10H170SK3-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN10H170SK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN10H170SK3-13
Descrição	MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 12A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície TO-252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMN10H170SK3-13 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 9.7 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1167 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 42W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 140mOhm a 5A, 10V	Número base de produto DMN10

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