Name: DMN10H220LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H220LE-13DITR-ND
Price: 1.0578 EUR
Availability: InStock

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DMN10H220LE-13
Número de produto da DigiKey	DMN10H220LE-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN10H220LE-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN10H220LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN10H220LE-13
Descrição	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 2,3A (Ta) 1,8W (Ta) Montagem em superfície SOT-223-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMN10H220LE-13 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	220mOhm a 1,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	401 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,8W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-223-3
Pacote / Invólucro	TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto	DMN10