Name: DMN2005LP4K-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005LP4KDITR-ND
Price: 0.5043 EUR
Availability: InStock

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DMN2005LP4K-7
Número de produto da DigiKey	DMN2005LP4KDITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN2005LP4KDICT-ND - Fita cortada (CT) DMN2005LP4KDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN2005LP4K-7
Descrição	MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Montagem em superfície X2-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx.) para Id	900mV a 100µA
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	41 pF @ 3 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	400mW (Ta)
Temperatura de operação	-65°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X2-DFN1006-3
Pacote / Invólucro	3-XFDFN
Número base de produto	DMN2005

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