Name: DMN2019UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2019UTS-13DITR-ND
Price: 0.738 EUR
Availability: InStock

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DMN2019UTS-13
Número de produto da DigiKey	DMN2019UTS-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN2019UTS-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN2019UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN2019UTS-13
Descrição	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 20V 5,4A 780mW Montagem em superfície 8-TSSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMN2019UTS-13 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 950mV a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8,8nC a 4,5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 143pF a 10V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 780mW
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Configuração 2 canais N com dreno comum (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico	Pacote / Invólucro 8-TSSOP (largura 0,173", 4,40mm)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TSSOP
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 5,4A	Número base de produto DMN2019
Rds on (máx.) para Id, Vgs 18,5mOhm a 7A, 10V

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