Name: DMN3730UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3730UFB-7TR-ND
Price: 0.7872 EUR
Availability: InStock

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DMN3730UFB-7
Número de produto da DigiKey	DMN3730UFB-7TR-ND - Fita e carretel (TR) DMN3730UFB-7CT-ND - Fita cortada (CT) DMN3730UFB-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN3730UFB-7
Descrição	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Montagem em superfície X1-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	750mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	460mOhm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	950mV a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	64.3 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	470mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X1-DFN1006-3
Pacote / Invólucro	3-UFDFN
Número base de produto	DMN3730

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