Name: DMN3732UFB4Q-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3732UFB4Q-7BTR-ND
Price: 0.3075 EUR
Availability: InStock

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DMN3732UFB4Q-7B
Número de produto da DigiKey	31-DMN3732UFB4Q-7BTR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMN3732UFB4Q-7BCT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMN3732UFB4Q-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN3732UFB4Q-7B
Descrição	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 1,3A (Ta) 490mW (Ta) Montagem em superfície X2-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 40.8 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 490mW (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,3A (Ta)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Invólucro do dispositivo fornecido X2-DFN1006-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 460mOhm a 200mA, 4,5V	Pacote / Invólucro 3-XFDFN
Vgs(th) (máx.) para Id 950mV a 250µA	Número base de produto DMN3732

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Fita e carretel (TR)

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DMN3732UFB4Q-7B