Name: DMN4800LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN4800LSSDITR-ND
Price: 0.7995 EUR
Availability: InStock

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DMN4800LSS-13
Número de produto da DigiKey	DMN4800LSSDITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN4800LSSDICT-ND - Fita cortada (CT) DMN4800LSSDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN4800LSS-13
Descrição	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 9A (Ta) 1,46W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,6V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 9.47 nC @ 5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±25V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 798 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,46W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SO
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 16mOhm a 9A, 10V	Número base de produto DMN4800

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