Name: DMN61D8LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8LVT-7DITR-ND
Price: 0.8241 EUR
Availability: InStock

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DMN61D8LVT-7
Número de produto da DigiKey	DMN61D8LVT-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN61D8LVT-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMN61D8LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN61D8LVT-7
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 630mA 820mW Montagem em superfície TSOT-26
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	630mA
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,8Ohm a 150mA, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0,74nC a 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12,9pF a 12V
Potência - Máx.	820mW
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Invólucro do dispositivo fornecido	TSOT-26
Número base de produto	DMN61

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