Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 0.3198 EUR
Availability: OutOfStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DMN65D8LFB-7B
Número de produto da DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Fita cortada (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN65D8LFB-7B
Descrição	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montagem em superfície X1-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMN65D8LFB-7B Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 25 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 430mW (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido X1-DFN1006-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 260mA (Ta)	Pacote / Invólucro 3-UFDFN
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V	Número base de produto DMN65
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3Ohm a 115mA, 10V

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 0

Verifique o tempo de espera

Solicitar notificação de estoque

Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)