Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 0.2706 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LFB-7B
Número de produto da DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Fita e carretel (TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Fita cortada (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMN65D8LFB-7B
Descrição	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montagem em superfície X1-DFN1006-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMN65D8LFB-7B Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	260mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3Ohm a 115mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	25 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	430mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	X1-DFN1006-3
Pacote / Invólucro	3-UFDFN
Número base de produto	DMN65

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