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Equivalente paramétrico

DMNH6010SCTBQ-13
Diodes Incorporated
Em estoque: 0
Preço unitário : 1,09585 €
Ficha técnica
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Canal N 60 V 133A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
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Canal N 60 V 133A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
TO-263AB

DMNH6010SCTB-13

Número de produto da DigiKey
31-DMNH6010SCTB-13TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante
DMNH6010SCTB-13
Descrição
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Tempo de espera previsto do fabricante
12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 60 V 133A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície TO-263AB (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Diodes Incorporated
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
133A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
10mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2692 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
5W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263AB (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
DMNH6010
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
8001,15948 €927,58 €
1 6001,11878 €1 790,05 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:1,15948 €
Preço unitário com VAT:1,42616 €
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