Name: DMP2006UFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2006UFGQ-7TR-ND
Price: 1.5498 EUR
Availability: InStock

DMP2006UFGQ-7
Número de produto da DigiKey	31-DMP2006UFGQ-7TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMP2006UFGQ-7CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMP2006UFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMP2006UFGQ-7
Descrição	MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 17,5A (Ta), 40A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montagem em superfície POWERDI3333-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17,5A (Ta), 40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,5mOhm a 15A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7500 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	POWERDI3333-8
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	DMP2006

Preço unitário sem VAT:	1,26000 €
Preço unitário com VAT:	1,54980 €

DMP2006UFGQ-7