Name: DMT6012LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LSS-13TR-ND
Price: 0.7626 EUR
Availability: InStock

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DMT6012LSS-13
Número de produto da DigiKey	31-DMT6012LSS-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMT6012LSS-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMT6012LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMT6012LSS-13
Descrição	MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 10,4A (Ta) 1,2W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10,4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1522 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	DMT6012

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