Name: DMT8012LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-7DITR-ND
Price: 1.5744 EUR
Availability: InStock

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DMT8012LFG-7
Número de produto da DigiKey	DMT8012LFG-7DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMT8012LFG-7DICT-ND - Fita cortada (CT) DMT8012LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMT8012LFG-7
Descrição	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 9,5A (Ta), 35A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) Montagem em superfície POWERDI3333-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,5A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1949 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	POWERDI3333-8
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	DMT8012