Name: DMTH10H032LFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Price: 1.0086 EUR
Availability: OutOfStock

DMTH10H032LFVW-13
Número de produto da DigiKey	31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH10H032LFVW-13
Descrição	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 26A (Tc) 1,7W (Ta) Montagem em superfície, flanco impregnável PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DMTH10H032LFVW-13 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Diodes Incorporated
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	30mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	683 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,7W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	DMTH10

Preço unitário sem VAT:	0,82000 €
Preço unitário com VAT:	1,00860 €

DMTH10H032LFVW-13