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DMTH43M7LFG-13
Diodes Incorporated
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DMTH43M7LFG-7
Diodes Incorporated
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Equivalente paramétrico

DMTH43M7LFGQ-13
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Equivalente paramétrico

DMTH43M7LFGQ-7
Diodes Incorporated
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Equivalente paramétrico

DMTH43M7LFGQ-7-A
Diodes Incorporated
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Canal N 40 V 100A (Tc) 3,5W (Ta), 65,2W (Tc) Montagem em superfície POWERDI3333-8
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DMTH43M7LFGQ-13-A

Número de produto da DigiKey
31-DMTH43M7LFGQ-13-ATR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante
DMTH43M7LFGQ-13-A
Descrição
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Tempo de espera previsto do fabricante
28 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 40 V 100A (Tc) 3,5W (Ta), 65,2W (Tc) Montagem em superfície POWERDI3333-8
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Diodes Incorporated
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2182 pF @ 20 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,5W (Ta), 65,2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
POWERDI3333-8
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
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Quantidade
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Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0000,43026 €1 290,78 €
6 0000,41539 €2 492,34 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário com VAT:0,52922 €