Name: DMTH6010LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6010LPSQ-13DITR-ND
Price: 2.2755 EUR
Availability: InStock

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DMTH6010LPSQ-13
Número de produto da DigiKey	DMTH6010LPSQ-13DITR-ND - Fita e carretel (TR) DMTH6010LPSQ-13DICT-ND - Fita cortada (CT) DMTH6010LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH6010LPSQ-13
Descrição	MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 13,5A (Ta), 100A (Tc) 2,6W (Ta), 136W (Tc) Montagem em superfície PowerDI5060-8
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 41.3 nC @ 10 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2090 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,6W (Ta), 136W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 13,5A (Ta), 100A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PowerDI5060-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8mOhm a 20A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA	Número base de produto DMTH6010

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Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
BSZ100N06NSATMA1	Infineon Technologies	13	BSZ100N06NSATMA1CT-ND	1,43000 €	Similar
CSD18534Q5AT	Texas Instruments	1 963	296-50719-1-ND	2,19000 €	Similar
FDMS86520L	onsemi	824	FDMS86520LFSCT-ND	2,65000 €	Similar

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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

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Fita e carretel (TR)

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Preço unitário sem VAT:	1,85000 €
Preço unitário com VAT:	2,27550 €

DMTH6010LPSQ-13