Name: DMTH6012LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH6012LPSWQ-13TR-ND
Price: 1.5129 EUR
Availability: InStock

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DMTH6012LPSWQ-13
Número de produto da DigiKey	31-DMTH6012LPSWQ-13TR-ND - Fita e carretel (TR) 31-DMTH6012LPSWQ-13CT-ND - Fita cortada (CT) 31-DMTH6012LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	DMTH6012LPSWQ-13
Descrição	MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 11,5A (Ta), 50,5A (Tc) 2,8W (Ta), 53,6W (Tc) Montagem em superfície PowerDI5060-8 (tipo Q)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 13.6 nC @ 10 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 785 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,8W (Ta), 53,6W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11,5A (Ta), 50,5A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PowerDI5060-8 (tipo Q)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 14mOhm a 20A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 250µA	Número base de produto DMTH6012

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