Name: ZXMHC3A01N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3A01N8DITR-ND
Price: 1.8204 EUR
Availability: InStock

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ZXMHC3A01N8TC
Número de produto da DigiKey	ZXMHC3A01N8DITR-ND - Fita e carretel (TR) ZXMHC3A01N8DICT-ND - Fita cortada (CT) ZXMHC3A01N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de produto do fabricante	ZXMHC3A01N8TC
Descrição	MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 2,17A, 1,64A 870mW Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3,9nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 190pF a 25V, 204pF a 15V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 870mW
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Configuração 2 canais N e 2 canais P (ponte completa)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SO
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,17A, 1,64A	Número base de produto ZXMHC3A01
Rds on (máx.) para Id, Vgs 125mOhm a 2,5A, 10V