Name: DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI006H03SQTR-ND
Price: 2.6445 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

DI006H03SQ
Número de produto da DigiKey	4878-DI006H03SQTR-ND - Fita e carretel (TR) 4878-DI006H03SQCT-ND - Fita cortada (CT) 4878-DI006H03SQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante	DI006H03SQ
Descrição	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 1,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	DI006H03SQ Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Fabricante Diotec Semiconductor	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 1,5W (Ta)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Configuração 2 canais N e 2 canais P (ponte completa)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Ta), 4.2A (Ta)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SO
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA