Canal N 1200 V 65A (Tc) 278W (Tc) Furo passante TO-247-4
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DIF120SIC053

Número de produto da DigiKey
4878-DIF120SIC053-ND
Fabricante
Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante
DIF120SIC053
Descrição
SICFET N-CH 1200V 65A TO-247-4
Tempo de espera previsto do fabricante
9 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 65A (Tc) 278W (Tc) Furo passante TO-247-4
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
DIF120SIC053 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Diotec Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
53mOhm a 33A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 9,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
121 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+18V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2070 pF @ 1000 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247-4
Pacote / Invólucro
TO-247-4
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Quantidade
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
19,58000 €9,58 €
305,72067 €171,62 €
1204,87400 €584,88 €
5104,55861 €2 324,89 €
Embalagem padrão do fabricante
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