Canal N 650 V 60A (Tc) 550W (Tc) Furo passante TO-247
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DIW065SIC049

Número de produto da DigiKey
4878-DIW065SIC049-ND
Fabricante
Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante
DIW065SIC049
Descrição
SICFET N-CH 650V 60A TO-247-3
Tempo de espera previsto do fabricante
10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 60A (Tc) 550W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
DIW065SIC049 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Diotec Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
49mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
128 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+18V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2612 pF @ 600 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
550W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247
Pacote / Invólucro
TO-247-3
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Quantidade
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
112,96000 €12,96 €
307,94200 €238,26 €
1206,84317 €821,18 €
5106,75065 €3 442,83 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:12,96000 €
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