Canal N 1200 V 120A (Tc) 340W (Tc) Furo passante TO-247
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DIW120SIC022-AQ

Número de produto da DigiKey
4878-DIW120SIC022-AQ-ND
Fabricante
Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante
DIW120SIC022-AQ
Descrição
SICFET N-CH 1200V 120A TO-247-3
Tempo de espera previsto do fabricante
10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 120A (Tc) 340W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
DIW120SIC022-AQ Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Diotec Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
22,3mOhm a 75A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 23,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
269 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4817 pF @ 1000 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
340W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247
Pacote / Invólucro
TO-247-3
Perguntas e respostas sobre o produto

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Quantidade
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
158,12000 €58,12 €
3044,31700 €1 329,51 €
Embalagem padrão do fabricante
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