Canal N 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) Furo passante TO-247
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DIW120SIC023-AQ

Número de produto da DigiKey
4878-DIW120SIC023-AQ-ND
Fabricante
Diotec Semiconductor
Número de produto do fabricante
DIW120SIC023-AQ
Descrição
SICFET N-CH 1200V 125A TO-247-3
Tempo de espera previsto do fabricante
10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
DIW120SIC023-AQ Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Diotec Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
125A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
23mOhm a 75A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,9V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
45 nC @ 18 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
6150 pF @ 1000 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
600W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247
Pacote / Invólucro
TO-247-3
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Quantidade
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Tubo
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